Драйверы MOSFET/IGBT LM5110-1M/NOPB
| Производитель | TEXAS INSTRUMENTS |
| Монтаж | SMD |
| Рабочая температура | -40...125°C |
| Корпус | SO8 |
| Напряжение питания | 3,5...14В DC |
| Выходной ток | -5...3А |
| Тип микросхемы | driver |
| Время нарастания импульса | 25нс |
| Время падения импульса | 25нс |
| Кол-во каналов | 2 |
| Вид упаковки | туба |
| Защита | от снижения напряжения |
| Вид микросхемы | low-side |
| Вид микросхемы | контроллер затвора MOSFET |
